|
能讯半导体发布新款S波段、适合5G主通信频段应用的碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)射频功率放大器D1H27260E1,助力5G网络发展。D1H27260E1工作频率范围为2515-2675MHz,全频段内饱和功率达到260W,平均输出功率28W时,其线性增益为14.5dB,开环线性接近-30dBc,线性效率大于51.5%。 D1H27260E1采用非对称Doherty设计,工作电压48V,封装形式为陶瓷NI-780-4。其更高的效率减少了电路板上的功率损失,有效地改善了系统的热设计,非常适合5G通信中的宽带应用。 除本款产品,能讯半导体将于2019年陆续推出多款S波段和C波段、不同功率等级、适合5G通信基站应用的系列产品。能讯半导体提供业内种类丰富的GaN-on-SiC射频功率放大器。产品具有高效率、高增益、小尺寸、高可靠性的特点。 产品特色: 工作频率:2515-2675MHz 饱和功率:260W 线性增益:14.5dB 线性效率:51.5% 封装形式:陶瓷780-4 符合无铅和RoHS标准 Doherty PA脉冲测试性能: 偏置条件:Vds = 48V,主管Ids = 200mA,峰管Vgs = -4.2V 测试信号:Pulse Width = 100 µs, Duty Cycle = 10 %
Doherty PA DPD性能: 偏置条件:Vds = 48V,主管Ids = 200mA,峰管Vgs = -4.2V 测试信号:单载波WCDMA信号,PAR = 7.5dB
版权声明: 《微波杂志》网站的一切内容及解释权皆归《微波杂志》杂志社版权所有, 未经书面同意不得转载,违者必究! 《微波杂志》杂志社。 |
|
友情链接 |
首页 | 关于我们 | 联络我们 | 加入我们 | 服务条款 | 隐私声明 Copyright© 2024: ; All Rights Reserved. 粤公网安备 44030402004704号 备案序号:粤ICP备12025165号-4 |