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Cree | Wolfspeed推出先进X-波段雷达器件,赋能高性能射频功率解决方案
录入时间:2021/4/14 15:00:51

四款新型 GaN-on-SiC MMIC 器件,助力设计人员改进射频系统尺寸、重量和功率

21年4月14日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– 全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,Cree | Wolfspeed于近日推出四款新型多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件,进一步扩展射频(RF)解决方案范围,适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波 X-波段相控阵应用。

通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技术,这些新型器件能够在小型且行业标准封装内提供高功率附加效率(PAE),从而助力设计人员能够在更小型的系统中实现性能的最大化,且功耗更少。

Cree | Wolfspeed 负责 foundry 和航空航天业务的高级总监Jim Milligan表示:“Cree | Wolfspeed 新型 X-波段器件为设计工程师提供了丰富的选项,适合要求在苛刻尺寸内实现高效率发射解决方案的系统,例如在有源相阵控雷达应用中所需要的那些。通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 解决方案,将赋能实现关键射频系统所要求的更小尺寸、更轻重量、更高功率(SWaP)、以及性能达到新的高度。”

丰富的 X-波段产品组合提供支持多级增益的解决方案,从而减少发射链路中所需要的器件数量。它们包括了不同的功率等级以优化系统性能,并提供多种平台以优化系统架构。浏览表1,了解更多产品细节和性能数据。

新型的放大器,继续扩大了产品组合。它们优异的性能展现了Cree | Wolfspeed 数十年的 GaN-on-SiC 专业技术沉淀,助力支持航空航天等市场。同时这也体现了致力于开发出适用于广泛射频应用的创新型、业界领先的氮化镓(GaN)解决方案的不懈追求。

表1

备注:以上所列所有器件 ECCN均为3A001.b.2

了解关于Cree | Wolfspeed及相关产品的更多信息,敬请访问www.wolfspeed.com/xband


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