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30V N沟道MOSFET进一步提升隔离和非隔离拓扑结构的功率密度和能效
录入时间:2021/5/25 17:19:32

器件采用PowerPAK® 1212‑8S封装,导通电阻低至0.95 mW,优异的FOM仅为29.8 mW*nC

美国宾夕法尼亚MALVERN,2021年5月25日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下导通电阻仅为0.95 mW,比上一代产品低5 %。此外, 4.5 V条件下器件导通电阻为1.5 mW,而4.5 V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8 mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。

SiSS52DN的FOM比上一代器件低29 %,从而降低导通和开关损耗,节省功率转换应用的能耗。

SiSS52DN适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET低边开关,以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能,简化设计人员两种电路的器件选择。

器件经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiSS52DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。


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